DiodesZetex Isoliert Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 6.6 A 1.7 W, 8-Pin SOIC
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 60V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 55mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 0.7V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 10.4nC
- Gehäusegröße
- SOIC
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 6.6A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 1.7W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- Leistungs-MOSFET
- Transistor-Konfiguration
- Isoliert
Produktbeschreibung
Kabelkanaltyp = Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 6.6A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 60V
Gehäusegröße = SOIC
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 55mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Durchlassspannung Vf = 0.7V
Maximale Betriebstemperatur = -55°C
Normen/Zulassungen = MIL-STD-202, RoHS, J-STD-020, UL 94V-0, AEC-Q101mm
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Automobilstandard = AEC-Q101
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059043743172
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