DiodesZetex Isoliert Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 580 mA 980 mW, 6-Pin SM

Name: DiodesZetex Isoliert Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 580 mA 980 mW, 6-Pin SM
Brand: DiodesZetex

Marke: DiodesZetex

Hersteller Artikel-Nr.: DMN601DMK-7

Produkt-Nr.: P-DRMFKW

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 60V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 4Ω
Durchlassspannung (Vf): 0.8V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 304nC
Gehäusegröße: SM
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 580mA
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 980mW
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 6
Produkt Typ: Leistungs-MOSFET
Transistor-Konfiguration: Isoliert

Produktbeschreibung

Produkt Typ = Leistungs-MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 580mA
Drain-Source-Spannung Vds max. = 60V
Gehäusegröße = SM
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 4Ω
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 980mW
Maximale Betriebstemperatur = -55°C
Höhe = 1.3mm
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Automobilstandard = AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100