DiodesZetex Isoliert Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 4.4 A 2.14 W, 8-Pin SOIC

Name: DiodesZetex Isoliert Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 4.4 A 2.14 W, 8-Pin SOIC
Brand: DiodesZetex

Marke: DiodesZetex

Hersteller Artikel-Nr.: DMN6066SSD-13

Produkt-Nr.: P-DP7G2Z

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 60V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 97mΩ
Durchlassspannung (Vf): 0.89V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 5.4nC
Gehäusegröße: SOIC
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 4.4A
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 2.14W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 8
Produkt Typ: Leistungs-MOSFET
Transistor-Konfiguration: Isoliert

Produktbeschreibung

Produkt Typ = Leistungs-MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 4.4A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 60V
Gehäusegröße = SOIC
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 97mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Durchlassspannung Vf = 0.89V
Maximale Betriebstemperatur = -55°C
Länge = 5mm
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Automobilstandard = AEC-Q101