DiodesZetex Isoliert Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 280 mA 150 mW, 6-Pin SOT-563
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 60V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 13.5Ω
- Gehäusegröße
- SOT-563
- Höhe
- 0.6mm
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 280mA
- Länge
- 1.7mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 150mW
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 6
- Produkt Typ
- Leistungs-MOSFET
- Transistor-Konfiguration
- Isoliert
Produktbeschreibung
Produkt Typ = Leistungs-MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 280mA
Drain-Source-Spannung Vds max. = 60V
Gehäusegröße = SOT-563
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 13.5Ω
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 150mW
Maximale Betriebstemperatur = -55°C
Länge = 1.7mm
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Automobilstandard = AEC-Q101
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059043983837
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