DiodesZetex Isoliert Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 40 V Erweiterung / 7 A 2.6 W, 8-Pin SOIC

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

40V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

50mΩ

Durchlassspannung (Vf)

0.74V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

8.4nC

Gehäusegröße

SOIC

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

7A

Maximale Betriebstemperatur

150°C