DiodesZetex Isoliert Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 30 V Erweiterung / 260 mA 450 mW, 6-Pin SOT-563

Name: DiodesZetex Isoliert Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 30 V Erweiterung / 260 mA 450 mW, 6-Pin SOT-563
Brand: DiodesZetex

Marke: DiodesZetex

Hersteller Artikel-Nr.: DMN63D8LV-7

Produkt-Nr.: P-DRMFHB

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 30V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 13Ω
Durchlassspannung (Vf): 0.8V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 0.4nC
Gehäusegröße: SOT-563
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 260mA
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 450mW
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 6
Produkt Typ: Leistungs-MOSFET
Transistor-Konfiguration: Isoliert

Produktbeschreibung

Produkt Typ = Leistungs-MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 260mA
Drain-Source-Spannung Vds max. = 30V
Gehäusegröße = SOT-563
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 13Ω
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 450mW
Maximale Betriebstemperatur = -55°C
Höhe = 0.6mm
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Automobilstandard = AEC-Q101