DiodesZetex Isoliert Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 20 V Erweiterung / 9.3 A 1.7 W, 7-Pin UDFN

Name: DiodesZetex Isoliert Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 20 V Erweiterung / 9.3 A 1.7 W, 7-Pin UDFN
Brand: DiodesZetex

Marke: DiodesZetex

Hersteller Artikel-Nr.: DMN2014LHAB-7

Produkt-Nr.: P-DRLTGH

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 20V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 28mΩ
Durchlassspannung (Vf): 1.2V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 0.5nC
Gehäusegröße: UDFN
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 9.3A
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 1.7W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 7
Produkt Typ: Leistungs-MOSFET
Transistor-Konfiguration: Isoliert

Produktbeschreibung

Produkt Typ = Leistungs-MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 9.3A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 20V
Gehäusegröße = UDFN
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 7
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 28mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 1.7W
Maximale Betriebstemperatur = -55°C
Länge = 3.05mm
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Automobilstandard = AEC-Q101