DiodesZetex Isoliert Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 20 V Erweiterung / 7.6 A 1.16 W, 8-Pin SOIC

Name: DiodesZetex Isoliert Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 20 V Erweiterung / 7.6 A 1.16 W, 8-Pin SOIC
Brand: DiodesZetex

Marke: DiodesZetex

Hersteller Artikel-Nr.: DMN2041LSD-13

Produkt-Nr.: P-DP7GZR

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 20V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 41mΩ
Durchlassspannung (Vf): 0.7V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 7.2nC
Gehäusegröße: SOIC
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 7.6A
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 1.16W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 8
Produkt Typ: Leistungs-MOSFET
Transistor-Konfiguration: Isoliert

Produktbeschreibung

Kabelkanaltyp = Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 7.6A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 20V
Gehäusegröße = SOIC
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 41mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 1.16W
Maximale Betriebstemperatur = -55°C
Höhe = 1.5mm
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Automobilstandard = AEC-Q101