DiodesZetex Doppelt ZXMS6008N8 Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 0.9 A 2.13 W, 8-Pin SO-8

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-40°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

60V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

800mΩ

Gehäusegröße

SO-8

Höhe

1.45mm

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

0.9A

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

2.13W