DiodesZetex Doppelt Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 4.6 A 1.1 W, 6-Pin TSOT
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 30V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 140mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 0.8V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 2.1nC
- Gehäusegröße
- TSOT
- Kabelkanaltyp
- Typ N, Typ P
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 4.6A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 1.1W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 6
- Produkt Typ
- MOSFET
- Transistor-Konfiguration
- Doppelt
Produktbeschreibung
Kabelkanaltyp = Typ N, Typ P
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 4.6A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 30V
Gehäusegröße = TSOT
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 140mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 1.1W
Maximale Betriebstemperatur = -55°C
Höhe = 0.9mm
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Automobilstandard = Nein
Produktangebot
Weitere Angebote
Alle anzeigen (2)Sichere Zahlung
Rechnung
Schneller Versand
etc.
Fragen zum Produkt?
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059045308171
Alle Angebote
| 12 Monate | 0,13 € 0,15 € inkl. MwSt.* | Bestes Angebot | Maximal 100 verfügbar | ||
| 12 Monate | 0,12 € 0,14 € inkl. MwSt.* |
* zzgl. Versandkosten