DiodesZetex Doppelt Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 4 A 1.1 W, 6-Pin TSOT
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 20V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 160mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 0.7V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 4.7nC
- Gehäusegröße
- TSOT
- Kabelkanaltyp
- Typ N, Typ P
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 4A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 1.1W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 6
- Produkt Typ
- MOSFET
- Transistor-Konfiguration
- Doppelt
Produktbeschreibung
Dieses MOSFET der neuen Generation wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(ON)) entwickelt, bietet dennoch überlegene Schaltleistung und ist somit ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen.Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand Niedrige Eingangskapazität Schnelle Schaltgeschwindigkeit Geringer Eingangs-/Ausgangsleckstrom Vollständig bleifrei halogen- und antimonfrei. "Grünes" Gerät. Anwendungen Hinterleuchtung. DC/DC-Wandler Stromüberwachungsfunktionen
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059045247968
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