DiodesZetex Doppelt Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 33.2 A 37.5 W, 8-Pin PowerDI5060

Name: DiodesZetex Doppelt Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 33.2 A 37.5 W, 8-Pin PowerDI5060
Brand: DiodesZetex

Marke: DiodesZetex

Hersteller Artikel-Nr.: DMTH6016LPD-13

Produkt-Nr.: P-DP62WJ

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 60V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 28mΩ
Durchlassspannung (Vf): 0.7V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 8.4nC
Gehäusegröße: PowerDI5060
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 33.2A
Maximale Betriebstemperatur: 175°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 37.5W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 8
Produkt Typ: Leistungs-MOSFET
Transistor-Konfiguration: Doppelt

Produktbeschreibung

Produkt Typ = Leistungs-MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 33.2A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 60V
Gehäusegröße = PowerDI5060
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 28mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Durchlassspannung Vf = 0.7V
Maximale Betriebstemperatur = -55°C
Normen/Zulassungen = AEC-Q101, J-STD-020, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202mm
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Automobilstandard = AEC-Q101