DiodesZetex Doppelt DMT Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 7.6 A 1.4 W, 8-Pin SOIC

Name: DiodesZetex Doppelt DMT Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 7.6 A 1.4 W, 8-Pin SOIC
Brand: DiodesZetex

Marke: DiodesZetex

Hersteller Artikel-Nr.: DMTH6016LSD-13

Produkt-Nr.: P-DRBJJX

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 60V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 28mΩ
Durchlassspannung (Vf): 0.7V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 8.4nC
Gehäusegröße: SOIC
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 7.6A
Maximale Betriebstemperatur: 175°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 1.4W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 8
Produkt Typ: MOSFET
Serie: DMT

Produktbeschreibung

Kabelkanaltyp = Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 7.6A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 60V
Serie = DMT
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 28mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Durchlassspannung Vf = 0.7V
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Höhe = 1.5mm
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Automobilstandard = AEC-Q101