DiodesZetex Doppelt DMN3190LDWQ Typ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 1 A 0.4 W, 6-Pin US
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 30V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 0.19Ω
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.2V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 0.9nC
- Gehäusegröße
- US
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 1A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 0.4W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 6
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- DMN3190LDWQ
Produktbeschreibung
Kabelkanaltyp = Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 1A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 30V
Serie = DMN3190LDWQ
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 0.19Ω
Channel-Modus = Erweiterung
Durchlassspannung Vf = 1.2V
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Höhe = 0.95mm
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Automobilstandard = AEC-Q101
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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