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DiodesZetex Doppelt DMN3061 Typ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 3.4 A 1.08 W, 6-Pin TSOT

Marke: DiodesZetex

Hersteller Artikel-Nr.: DMN3061SVT-7

Produkt-Nr.: P-DRB8Z7

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
30V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
200mΩ
Durchlassspannung (Vf)
0.7V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
3.5nC
Gehäusegröße
TSOT
Kabelkanaltyp
Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
3.4A
Maximale Betriebstemperatur
150°C

Produktbeschreibung

Der zweifache N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET DiodesZetex mit 30 V wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung zu erhalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet. Seine Gate-Quellspannung beträgt 20 V mit 0,88 W Wärmeverlustleistung.Niedrige Eingangskapazität Schnelle Schaltgeschwindigkeit

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET

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