DiodesZetex Doppelt DMN3061 Typ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 3.4 A 1.08 W, 6-Pin TSOT
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 30V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 200mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 0.7V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 3.5nC
- Gehäusegröße
- TSOT
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 3.4A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 1.08W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 6
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- DMN3061
Produktbeschreibung
Der zweifache N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET DiodesZetex mit 30 V wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung zu erhalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet. Seine Gate-Quellspannung beträgt 20 V mit 0,88 W Wärmeverlustleistung.Niedrige Eingangskapazität Schnelle Schaltgeschwindigkeit
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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