DiodesZetex Doppelt DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 261 mA 0.45 W, 6-Pin US

Name: DiodesZetex Doppelt DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 261 mA 0.45 W, 6-Pin US
Brand: DiodesZetex

Marke: DiodesZetex

Hersteller Artikel-Nr.: DMN62D4LDW-7

Produkt-Nr.: P-DRC8Y5

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 60V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 3Ω
Durchlassspannung (Vf): 0.8V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 0.51nC
Gehäusegröße: US
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 261mA
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 0.45W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 6
Produkt Typ: MOSFET
Serie: DMN

Produktbeschreibung

Der zweifache n-Kanal-Anreicherungs-MOSFET von DiodesZetex wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung zu erhalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet.Zweifacher N-Kanal-MOSFET Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand Niedrige Gate-Schwellenspannung Niedrige Eingangskapazität Schnelle Schaltgeschwindigkeit

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