DiodesZetex DMTH6016LK3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 46.9 A 60 W, 4-Pin TO-252
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 60V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 24mΩ
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 17nC
- Gehäusegröße
- TO-252
- Höhe
- 2.26mm
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 46.9A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 60W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 4
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- DMTH6016LK3
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 46.9A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 60V
Gehäusegröße = TO-252
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 24mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 17nC
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Länge = 6.7mm
Automobilstandard = AEC-Q101
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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