DiodesZetex DMTH10 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 20.1 kA 2.7 W, 8-Pin PowerDI5060
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 100V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 6.2mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.2V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 80nC
- Gehäusegröße
- PowerDI5060
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 20.1kA
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 2.7W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- DMTH10
Produktbeschreibung
Der 8-polige N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET DiodesZetex 100 V wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung zu erhalten. Dieses Gerät ist ideal für den Einsatz in der Notebook-Akkuverwaltung und im Lastschalter. Seine Gate-Quellspannung beträgt 20 V mit 2,7 W Wärmeverlustleistung.Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand Schnelle Schaltgeschwindigkeit
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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