DiodesZetex DMT6016LSS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 11.9 A 2.1 W, 8-Pin SOIC

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

60V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

28mΩ

Durchlassspannung (Vf)

0.7V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

17nC

Gehäusegröße

SOIC

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

11.9A

Maximale Betriebstemperatur

150°C