DiodesZetex DMT6016LFDF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 11.1 A 1.9 W, 6-Pin UDFN
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 60V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 27mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 0.7V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 17nC
- Gehäusegröße
- UDFN
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 11.1A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 1.9W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 6
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- DMT6016LFDF
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 11.1A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 60V
Gehäusegröße = UDFN
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 27mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 17nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 2.05mm
Automobilstandard = AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059043395463
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