DiodesZetex DMT6006 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 98 A 2.45 W, 8-Pin PowerDI5060

Name: DiodesZetex DMT6006 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 98 A 2.45 W, 8-Pin PowerDI5060
Brand: DiodesZetex

Marke: DiodesZetex

Hersteller Artikel-Nr.: DMT6006SPS-13

Produkt-Nr.: P-DRB83F

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 60V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 6.2mΩ
Durchlassspannung (Vf): 1.2V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 27.9nC
Gehäusegröße: PowerDI5060
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 98A
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 2.45W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 8
Produkt Typ: MOSFET
Serie: DMT6006

Produktbeschreibung

Der 8-polige N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET DiodesZetex mit 60 V, wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung zu erhalten, womit er ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen ist. Seine Gate-Quellspannung beträgt 20 V mit 2,45 W Wärmeverlustleistung.Niedriger RDS(ON) - sorgt dafür, dass die Verluste im eingeschalteten Zustand minimiert werden

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