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DiodesZetex DMT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 68.8 A 62.5 W, 4-Pin TO-252

Marke: DiodesZetex

Hersteller Artikel-Nr.: DMT10H010LK3-13

Produkt-Nr.: P-DP736G

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
100V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
11.3mΩ
Durchlassspannung (Vf)
1.3V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
53.7nC
Gehäusegröße
TO-252
Kabelkanaltyp
Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
68.8A
Maximale Betriebstemperatur
175°C

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 68.8A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 100V
Gehäusegröße = TO-252
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 11.3mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 53.7nC
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Länge = 6.58mm
Automobilstandard = Nein

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
GTIN
5059043384900

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