DiodesZetex DMT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 46.3 A 3.7 W, 4-Pin TO-252

Dieses MOSFET der neuen Generation wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(on)) sowie für schnelle Schaltungen entwickelt und ist somit ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen.Zu 100 % gelöste Induktionsschaltung – erlaubt zuverlässigere und robustere Endanwendungen Niedriger RDS(ON) – minimiert Leistungsverluste Niedrige QG – minimiert Schaltverluste Bleifreie Oberfläche halogen- und antimonfrei. "Grünes" Gerät. Anwendungen Stromüberwachungsfunktionen DC/DC-Wandler Hinterleuchtung.