DiodesZetex DMP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 200 mA 320 mW, 3-Pin X2-DFN
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 30V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 5Ω
- Durchlassspannung (Vf)
- -1V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 0.35nC
- Gehäusegröße
- X2-DFN
- Kabelkanaltyp
- Typ P
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 200mA
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 320mW
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- DMP
Produktbeschreibung
Der DiodesZetex P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und dennoch eine überlegene Schaltleistung beizubehalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet.Flaches Gehäuseprofil Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand ESD-geschütztes Gate
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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