DiodesZetex DMN2011UFDF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 14.2 A 2.1 W, 6-Pin UDFN
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 20V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 35mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 0.7V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 56nC
- Gehäusegröße
- UDFN
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 14.2A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 2.1W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 6
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- DMN2011UFDF
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 14.2A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 20V
Gehäusegröße = UDFN
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 35mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 56nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 2.05mm
Automobilstandard = AEC-Q101
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059043070414
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