DiodesZetex DMN10H220LDV Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 10.5 A 40 W, 8-Pin PowerDI3333
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 100V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 222mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.3V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 6.7nC
- Gehäusegröße
- PowerDI3333
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 10.5A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 40W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- DMN10H220LDV
Produktbeschreibung
Der MOSFET der DiodesZetex DBN10H220LDV-Serie wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und eine überlegene Schaltleistung beizubehalten, was ihn ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen macht.Niedrige Eingangskapazität Schnelle Schaltgeschwindigkeit
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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