DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 8 A 11 W, 4-Pin SOT-223
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 60V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 100mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.1V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 16nC
- Gehäusegröße
- SOT-223
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 8A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 11W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 4
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- DMN
Produktbeschreibung
Dieses MOSFET der neuen Generation wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(on)) entwickelt, bietet dennoch überlegene Schaltleistung und ist somit ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen.Anwendungen Motorsteuerung Transformator-Antriebsschalter DC/DC-Wandler Stromüberwachungsfunktionen Unterbrechungsfreie Stromversorgung
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059045313267
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