DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 80 A 44 W, 4-Pin TO-252
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 30V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 9mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 42nC
- Gehäusegröße
- TO-252
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 80A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 44W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 4
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- DMN
Produktbeschreibung
Dieses MOSFET wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(ON)) entwickelt, bietet dennoch überlegene Schaltleistung und ist somit ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen.Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand Niedrige Eingangskapazität Anwendungen Stromüberwachungsfunktionen DC/DC-Wandler Industrieausführung
Produktangebot
Weitere Angebote
Alle anzeigen (2)Sichere Zahlung
Rechnung
Schneller Versand
etc.
Fragen zum Produkt?
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059045505624
Alle Angebote
| 12 Monate | 0,37 € 0,44 € inkl. MwSt.* | Bestes Angebot | Maximal 1900 verfügbar | ||
| 12 Monate | 0,18 € 0,21 € inkl. MwSt.* |
* zzgl. Versandkosten