DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 8 A 1.46 W, 8-Pin SOIC

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

30V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

20mΩ

Durchlassspannung (Vf)

0.94V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

8.7nC

Gehäusegröße

SOIC

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

8A

Maximale Betriebstemperatur

150°C