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DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 900 mA 0.6 W, 3-Pin SOT-323

Marke: DiodesZetex

Hersteller Artikel-Nr.: DMN2710UWQ-7

Produkt-Nr.: P-DRC8YZ

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
20V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
450mΩ
Durchlassspannung (Vf)
1.2V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
0.6nC
Gehäusegröße
SOT-323
Kabelkanaltyp
Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
900mA
Maximale Betriebstemperatur
150°C

Produktbeschreibung

Der DiodesZetex N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung beizubehalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet.Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand Niedrige Eingangskapazität Schnelle Schaltgeschwindigkeit Vollständig bleifrei und vollständig RoHS-konform

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET

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