DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 1 A 900 mW, 3-Pin X2-DFN
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 20V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 700mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.2V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 1.3nC
- Gehäusegröße
- X2-DFN
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 1A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 900mW
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- DMN
Produktbeschreibung
Dieses MOSFET der neuen Generation wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(ON)) entwickelt, bietet dennoch überlegene Schaltleistung und ist somit ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen.Abmessung von lediglich 0,6 mm² - Dreizehn Mal kleiner als SOT23 Profil von 0,4mm – Ideal für Anwendungen mit niedriger Bauhöhe Niedrige Gate-Schwellenspannung Schnelle Schaltgeschwindigkeit ESD-geschütztes Gate Vollständig bleifrei halogen- und antimonfrei. "Grünes" Gerät. Anwendungen Lastschalter
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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