DiodesZetex DMG1012UWQ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 950 mA 0.29 W, 3-Pin SOT-323
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 20V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 450mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.2V
- Gehäusegröße
- SOT-323
- Höhe
- 1.1mm
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 950mA
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 0.29W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- DMG1012UWQ
Produktbeschreibung
Der DiodesZetex N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung beizubehalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet.Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand Niedrige Gate-Schwellenspannung Niedrige Eingangskapazität Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Produktangebot
Sichere Zahlung
Rechnung
Schneller Versand
etc.
Fragen zum Produkt?
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
Alle Angebote
| 12 Monate | 0,06 € 0,07 € inkl. MwSt.* | Bestes Angebot | Maximal 3000 verfügbar | ||
| 12 Monate | 0,18 € 0,21 € inkl. MwSt.* |
* zzgl. Versandkosten