DiodesZetex DMG Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 4 A 900 mW, 3-Pin SOT-23
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 20V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 71mΩ
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 9.1nC
- Gehäusegröße
- SOT-23
- Höhe
- 1mm
- Kabelkanaltyp
- Typ P
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 4A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 900mW
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- DMG
Produktbeschreibung
Dieses MOSFET der neuen Generation wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(ON)) entwickelt, bietet dennoch überlegene Schaltleistung und ist somit ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen.Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand Niedrige Eingangskapazität Schnelle Schaltgeschwindigkeit Geringer Eingangs-/Ausgangsleckstrom ESD-Schutz bis 3 kV Vollständig bleifrei halogen- und antimonfrei. "Grünes" Gerät. PPAP-fähig Anwendungen DC/DC-Wandler Stromüberwachungsfunktionen
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059045313656
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