DiodesZetex Darlington-Transistor 2 80 V 500 mA NPN HFE:10000, SOT-23 3-Pin

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Betriebstemperatur min.

-55°C

DC-Stromverstärkung min. (hFE)

10000

Emitter-Basisspannung max. (VEBO)

12V

Gehäusegröße

SOT-23

Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)

80V

Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)

80V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))

80V

Maximale Verlustleistung (Pd)

300mW