DiodesZetex Darlington-Transistor 1 80 V 2 A NPN HFE:2000, SOT-223 4-Pin

Name: DiodesZetex Darlington-Transistor 1 80 V 2 A NPN HFE:2000, SOT-223 4-Pin
Brand: DiodesZetex

Marke: DiodesZetex

Hersteller Artikel-Nr.: FZT603TA

Produkt-Nr.: P-DRH4GT

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip: 1
Betriebstemperatur min.: -55°C
DC-Stromverstärkung min. (hFE): 2000
Emitter-Basisspannung max. (VEBO): 10V
Gehäusegröße: SOT-223
Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO): 100V
Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo): 80V
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT)): 80V
Maximale Verlustleistung (Pd): 3W
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom (Ic): 2A
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 4
Polarität des Transistors: NPN
Produkt Typ: Darlington-Transistor

Produktbeschreibung

Produkt Typ = Darlington-Transistor
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic = 2A
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo = 80V
Gehäusegröße = SOT-223
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 4
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
DC-Stromverstärkung min. hFE = 2000
Maximale Verlustleistung Pd = 3W
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 6.7mm
Kollektor-Sperrstrom max. = 0.00001mA
Automobilstandard = AEC-Q101