DiodesZetex Darlington-Transistor 1 180 V 0.5 A NPN HFE:150, SOT-223 4-Pin

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur min.

-55°C

DC-Stromverstärkung min. (hFE)

150

Emitter-Basisspannung max. (VEBO)

5V

Gehäusegröße

SOT-223

Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)

180V

Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)

180V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))

180V

Maximale Verlustleistung (Pd)

2W