DiodesZetex Darlington-Transistor 1 120 V 1 A NPN HFE:500, E-Leitung 3-Pin

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur min.

-55°C

DC-Stromverstärkung min. (hFE)

500

Emitter-Basisspannung max. (VEBO)

10V

Gehäusegröße

E-Leitung

Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)

140V

Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)

120V

Maximale Betriebstemperatur

200°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))

120V

Maximale Verlustleistung (Pd)

1W