DiodesZetex Darlington-Transistor 1 100 V 900 mA NPN HFE:5000, SOT-23 3-Pin

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur min.

-55°C

DC-Stromverstärkung min. (hFE)

5000

Emitter-Basisspannung max. (VEBO)

12V

Gehäusegröße

SOT-23

Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)

120V

Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)

100V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))

100V

Maximale Verlustleistung (Pd)

625mW