DiodesZetex Darlington-Transistor 1 100 V 1.5 A NPN HFE:1000, SOT-223 4-Pin

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur min.

-55°C

DC-Stromverstärkung min. (hFE)

1000

Emitter-Basisspannung max. (VEBO)

12V

Gehäusegröße

SOT-223

Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)

100V

Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)

100V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))

100V

Maximale Verlustleistung (Pd)

6.25W