Broadcom ASSR-1218 Oberfläche Halbleiterausgang, SPST 60 V 1.6V / 0.2 A

HF-Empfänger Microchip TechnologyDas Broadcom-ASSR-1218-Serie-SO-4-Gehäuse mit einpoligem Einwurf (SPST) 4-poligem DIP-Gehäuse, Halbleiterrelais (Foto-MOSFET) hat eine elektrische Nennleistung von 0,2 A und 60 V. Er besteht aus einer AlGaAs Infrarot-Licht emittierenden Diode (LED)-Eingangsstufe, die optisch mit einer Hochspannungsausgangs-Detektorschaltung gekoppelt ist. Der Detektor besteht aus einem Hochgeschwindigkeits-Photovoltaikdiodenarray und einem Treiberschaltkreis zum Ein-/Ausschalten von zwei diskreten Hochspannungs-MOSFETs.Eigenschaften und Vorteile• Kompakter bidirektionaler Halbleitersignalschalter • Hohe Isolationsspannung zwischen Ein- und Ausgang • Niedriger Eingangsstrom: CMOS-Kompatibilität • Niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand: 0,25 Ohm typisch nur für DC, 1 Ohm typisch für AC/DC • Betriebstemperaturbereiche zwischen -40 °C und 85 °C. • Ein- und Zweikanal-Schließer-einpoliges Ein/Aus-Relais (SPST)Anwendungen• Telekommunikations-Switching • Datenkommunikation • Industrielle Steuerungen • Medizinisch • Sicherheit • EMR/Reed-Relais-Austausch