Bourns SRN2012T Power-Induktivität Abgeschirmt, 4.7 μH 0.84 A AEC-Q mit Ferrit-Kern, 2012 Gehäuse ±30 % Halb abgeschirmt
Technische Daten
- Abschirmung
- Ja
- Automobilstandard
- AEC-Q
- Betriebstemperatur min.
- -40°C
- Gehäusegröße
- 2012
- Gleichstrom max.
- 0.84A
- Gleichstromwiderstand max.
- 1.76Ω
- Induktivität
- 4.7μH
- Induktivitätstoleranz
- ±30 %
- Kernmaterial
- Ferrit
- Länge
- 2mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 125°C
- Produkt Typ
- Power-Induktivität
- Serie
- SRN2012T
- Subtyp
- Halbgeschirmte Leistungsinduktivität
- Verpackungsart
- Trommel
Produktbeschreibung
Induktivität = 4.7μH
Subtyp = Halbgeschirmte LeistungsinduktivitätA
Gehäusegröße = 2012
Verpackungsart = Trommelmm
Automobilstandard = AEC-Q
Abschirmung = Ja
Betriebstemperatur min. = -40°C
Maximale Betriebstemperatur = 125°C
Durchmesser = 1.2mm
Selbstresonanzfrequenz max. = 208MHz
Qualitätsfaktor min. = 14
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- SMD-Induktivität
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