Bourns SRN2012T Power-Induktivität Abgeschirmt, 2.2 μH 1.04 A AEC-Q mit Ferrit-Kern, 2012 Gehäuse ±30 % Halb abgeschirmt

Name: Bourns SRN2012T Power-Induktivität Abgeschirmt, 2.2 μH 1.04 A AEC-Q mit Ferrit-Kern, 2012 Gehäuse ±30 % Halb abgeschirmt
Brand: BOURNS

Marke: BOURNS

Hersteller Artikel-Nr.: SRN2012T-2R2K

Produkt-Nr.: P-DRDJYP-DRTN2F

Technische Daten

Abschirmung: Ja
Automobilstandard: AEC-Q
Betriebstemperatur min.: -40°C
Gehäusegröße: 2012
Gleichstrom max.: 1.04A
Gleichstromwiderstand max.: 1.76Ω
Induktivität: 2.2μH
Induktivitätstoleranz: ±30 %
Kernmaterial: Ferrit
Länge: 2mm
Maximale Betriebstemperatur: 125°C
Produkt Typ: Power-Induktivität
Serie: SRN2012T
Subtyp: Halbgeschirmte Leistungsinduktivität
Verpackungsart: Trommel

Produktbeschreibung

Induktivität = 2.2μH
Gleichstrom max. = 1.04A
Gehäusegröße = 2012
Verpackungsart = Trommelmm
Automobilstandard = AEC-Q
Abschirmung = Ja
Betriebstemperatur min. = -40°C
Induktivitätstoleranz = ±30 %°C
Höhe = 1.2mm
Selbstresonanzfrequenz max. = 208MHz
Qualitätsfaktor min. = 13

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