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Alliance Memory SDRAM 64 MB 4M x 16 bit Oberfläche 16 Bits/Wort 16 bit 5.4 ns TSOP 54-Pin

Marke: Alliance Memory

Hersteller Artikel-Nr.: AS4C4M16SA-6TIN

Produkt-Nr.: P-DRF8WX

Technische Daten

Adressbusbreite
13bit
Anzahl der Bits pro Wort
16
Anzahl der Wörter
1M
Betriebstemperatur min.
-40°C
Datenbus-Breite
16bit
Gehäusegröße
TSOP
Höhe
1.2mm
Maximale Betriebstemperatur
85°C
Montageart
Oberfläche
Organisation
4M x 16 bit

Produktbeschreibung

Der Alliance Memory 64 Mb SDRAM ist ein synchroner Hochgeschwindigkeits-CMOS-DRAM mit 64 Mbit/s. Er ist intern als 4 Bänke mit 1M Word x 16 DRAM mit synchroner Schnittstelle konfiguriert (alle Signale werden an der positiven Flanke des Taktsignals CLK registriert). Lese- und Schreibzugriffe auf den SDRAM sind Burst-orientiert Die Zugriffe beginnen an einem ausgewählten Ort und fahren für eine programmierte Anzahl von Orten in einer programmierten Reihenfolge fort. Die Zugriffe beginnen mit der Registrierung eines Bank-Activate-Befehls, dem dann ein Lese- oder Schreibbefehl folgt.Schnelle Zugriffszeit ab Uhr: 4,5/5,4/5,4 ns Schnelle Taktrate: 200/166/143 MHz Vollständig synchroner Betrieb Interne verrohrungsbeschlungener Architektur 1 M Wort x 16-Bit x 4-Bank

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
SDRAM

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