Alliance Memory SDRAM 512 MB 32 MB x 16 bit Oberfläche 16 Bits/Wort 16 bit 5.4 ns TSOP 54-Pin

Der Alliance Memory 512 Mb SDRAM ist ein synchroner Hochgeschwindigkeits-CMOS-DRAM mit 512 Mbit/s. Er ist intern als 4 Bänke mit 8M Word x 16 DRAM mit synchroner Schnittstelle konfiguriert (alle Signale werden an der positiven Flanke des Taktsignals CLK registriert). Lese- und Schreibzugriffe auf den SDRAM sind Burst-orientiert Die Zugriffe beginnen an einem ausgewählten Ort und fahren für eine programmierte Anzahl von Orten in einer programmierten Reihenfolge fort. Die Zugriffe beginnen mit der Registrierung eines Bank-Activate-Befehls, dem dann ein Lese- oder Schreibbefehl folgt.Automatische Aktualisierung und Selbstaktualisierung 8192 Aktualisierungszyklen/64 ms CKE-Abschaltmodus Einfaches Netzteil mit +3,3 V ±0,3 V.