Alliance Memory SDRAM 256 MB 16M x 16 bit Oberfläche 16 Bits/Wort 16 bit 5.4 ns TSOP 54-Pin

Der Alliance Memory 256 Mb SDRAM ist ein synchroner Hochgeschwindigkeits-CMOS-DRAM mit 256 Mbit/s. Er ist intern als 4 Bänke mit 4M Word x 16 DRAM mit synchroner Schnittstelle konfiguriert (alle Signale werden an der positiven Flanke des Taktsignals CLK registriert). Lese- und Schreibzugriffe auf den SDRAM sind Burst-orientiert Die Zugriffe beginnen an einem ausgewählten Ort und fahren für eine programmierte Anzahl von Orten in einer programmierten Reihenfolge fort. Die Zugriffe beginnen mit der Registrierung eines Bank Active-Befehls, dem dann ein Lese- oder Schreibbefehl folgt.Schnelle Zugriffszeit von der Uhr: 5/5,4 ns Schnelle Taktrate: 166/143 MHz Vollständig synchroner Betrieb Interne verrohrungsbeschlungener Architektur 4 M Wort x 16-Bit x 4-Bank