Vishay SiHB22N60EF N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 19 A 179 W, 3-Pin TO-263
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 600V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 182mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.2V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 48nC
- Gate-Source-spannung max (Vgs)
- 30V
- Gehäusegröße
- TO-263
- Kabelkanaltyp
- N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 19A
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 179W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- SiHB22N60EF
Produktbeschreibung
Leistungs-MOSFET der Serie EF mit schneller Gehäusediode.Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg Niedrige Eingangskapazität (Ciss) Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste ANWENDUNGEN Server- und Telekommunikations-Netzteile Schaltnetzteile (SNT) Netzteile für Leistungsfaktorkorrektur (PFC)
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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