Vishay Si2366DS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 5.8 A 2.1 W, 3-Pin SOT-23

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

30V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

42mΩ

Durchlassspannung (Vf)

0.85V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

6.4nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

-20, +20V

Gehäusegröße

SOT-23

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

5.8A