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Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 29 A 250 W, 3-Pin TO-263

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Marke: Vishay

Hersteller Artikel-Nr.: SIHB30N60E-GE3

Produkt-Nr.: P-DP6ZYB-DRNLLV

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
600V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
125mΩ
Durchlassspannung (Vf)
1.3V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
85nC
Gehäusegröße
TO-263
Kabelkanaltyp
Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
29A
Maximale Betriebstemperatur
150°C

Produktbeschreibung

MOSFET

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
GTIN
5059040754096

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