IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, Schraub MOSFET 500 V / 66 A 700 W, 4-Pin SOT-227
Datos técnicos
- Betriebstemperatur min.
- -55 °Cmm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 66 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 500 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 65 mΩ
- Gate-Ladung typ. @ Vgs
- 195 nC @ 10 Vmm
- Gate-Schwellenspannung max.
- 5V
- Gate-Source Spannung max.
- -30 V, +30 V
- Gehäusegröße
- SOT-227
Descripción del producto
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 66 A
Drain-Source-Spannung max. = 500 V
Gehäusegröße = SOT-227
Montage-Typ = Schraubmontage
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 65 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Verlustleistung max. = 700 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 195 nC @ 10 Vmm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS
Produktangebot
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Kennzeichnungen
- Tipo de artículo
- MOSFET
- GTIN
- 5059041180153
